全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于迭代升級(jí)的關(guān)鍵期，新技術(shù)、新領(lǐng)域不斷加速拓展，供需關(guān)系等關(guān)鍵因素進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)，全球市場風(fēng)險(xiǎn)機(jī)遇并存。

任何一個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都離不開創(chuàng)新，可以說創(chuàng)新是一切新技術(shù)的內(nèi)核驅(qū)動(dòng)力。依托于技術(shù)不斷創(chuàng)新迭代，半導(dǎo)體行業(yè)逐漸成為應(yīng)用滲透最強(qiáng)、行業(yè)影響最廣的戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。

6月9日至11日，2021世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國際半導(dǎo)體博覽會(huì)在南京國際博覽中心舉辦。以“創(chuàng)新求變，同‘芯’共贏”為主題，共同探討世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與合作、發(fā)展與共贏。

隨著人工智能、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)不斷融合發(fā)展，全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速，給半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展上了發(fā)條。作為未來經(jīng)濟(jì)的支柱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)迎來一次又一次重大突破。

摩爾定律發(fā)展至今，已經(jīng)到達(dá)了物理極限，芯片性能和功耗都已遭遇瓶頸。另一方面，技術(shù)手段和經(jīng)濟(jì)成本也是制約摩爾定律發(fā)展的原因。中國工程院院士、浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長吳漢明表示，后摩爾時(shí)代下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展趨緩，創(chuàng)新空間和追趕機(jī)會(huì)也隨之?dāng)U大，高性能計(jì)算、移動(dòng)計(jì)算、自主感知成為芯片技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)方向。為了提升芯片PPAC(性能、功率、面積、成本)，芯片在制造工藝上將面臨三大挑戰(zhàn)。

第一是精密圖形。以光刻機(jī)為主要裝備的工藝，現(xiàn)今主要用波長193納米形成20納米、30納米的圖形，技術(shù)上具有很大難度。

第二是新材料�？s小尺寸帶來的性能提升有限，需要尋求新的材料支撐日益增長的性能要求。新材料、新工藝是集成電路芯片制造的主旋律。

第三是提升良率。良率是檢驗(yàn)工藝是否真正成熟的標(biāo)準(zhǔn)，也是芯片制造企業(yè)面臨的最艱難的挑戰(zhàn)。

據(jù)中國科學(xué)院院士、上海交通大學(xué)黨委常委、副校長毛軍發(fā)所言，半導(dǎo)體芯片未來的發(fā)展路線有兩條，一是延續(xù)摩爾定律，二是繞道摩爾定律。繞道摩爾定律的途徑很多，異構(gòu)集成便是其中一種。

異構(gòu)集成可以融合不同半導(dǎo)體材料、工藝、結(jié)構(gòu)和元器件或芯片的優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)強(qiáng)大復(fù)雜的功能，具有優(yōu)異的綜合性能，突破了單一半導(dǎo)體工藝的性能極限，具有靈活性大、可靠性高、研發(fā)周期短等優(yōu)點(diǎn)。毛軍發(fā)表示，異構(gòu)集成的研究意義顯著，集成電路的發(fā)展從單一同質(zhì)工藝轉(zhuǎn)向多種異質(zhì)工藝集成、從二維平面集成轉(zhuǎn)向三維立體集成、從TOP-DOWN轉(zhuǎn)到BOTTOM-UP。

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長、長電科技董事兼首席執(zhí)行長鄭力表示，后摩爾時(shí)代，芯片的密度和集成度越來越復(fù)雜，先進(jìn)封裝已經(jīng)不僅僅是“封”和“裝”，而是走向了“集”和“連”。AMD、臺(tái)積電、英特爾等國際巨頭都在積極布局異構(gòu)集成，發(fā)力半導(dǎo)體后道技術(shù)，實(shí)現(xiàn)芯片高度集成與高度互連。

然而光有制造工藝和高密度的互連集成工藝還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，必須在芯片前期規(guī)劃和設(shè)計(jì)時(shí)，就把晶圓制造和后道成品制造聯(lián)系起來，才能保證良率、提高性能。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)