5月3日,韓國政府產(chǎn)業(yè)通商資源部和國防部確定了為培育國防產(chǎn)業(yè)原材料、零部件、裝備企業(yè)而進行的“X-band 氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體集成電路”國產(chǎn)化課題。韓國無線通信設(shè)備半導(dǎo)體企業(yè)RFHIC(艾爾福)被選定為課題牽頭企業(yè)。

韓國成立“GaN半導(dǎo)體集成電路”國家級課題組

X-band “氮化鎵”半導(dǎo)體超高頻率集成電路(MMIC)是安裝在韓國戰(zhàn)斗機(KF-X)上的雷達核心配件。

此次課題由RFHIC(艾爾福)牽頭負(fù)責(zé)執(zhí)行。SK Siltron將參與碳化硅基板、氮化鎵樹脂(EPI)的制作,LIG nex1負(fù)責(zé)系統(tǒng)的驗證。韓國電子通信研究院(ETRI)的半導(dǎo)體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。

除X-band外,課題還將擴大到Ku-band、Ka-band等,該技術(shù)也適用于擴展到28千兆(GHz)的5G通信設(shè)備及衛(wèi)星通信。

早前的4月1日,韓國政府曾召開會議,發(fā)表了“下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)能擴充方案”。其宣布將正式培育下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),到2025年開發(fā)5種以上的商業(yè)化產(chǎn)品,并在國內(nèi)建設(shè)6～8英寸代工廠。

目前為止,從SiC到系統(tǒng)構(gòu)筑氮化鎵供應(yīng)鏈的國家只有美國和中國,其中成功實現(xiàn)商品化的國家只有美國。

全球第三代半導(dǎo)體名單

基于摩爾定律即將走到極限,各家半導(dǎo)體業(yè)者正尋求第三代半導(dǎo)體開發(fā)。所謂第三代半導(dǎo)體系指材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體為主,有別于第一代的硅(Si)、第二代的砷化鎵(GaAs)之半導(dǎo)體材料。

目前,氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體海外主要參與者包括:Cree(CREE.US)、Efficient Power Conversion Corporation、富士通有限公司、GaN Systems、英飛凌科技股份公司、NexGen電力系統(tǒng)(NXE.US)、恩智浦半導(dǎo)體、Qorvo, Inc.(QRVO.US)、德州儀器公司(TXN.US)、東芝公司等。

從國家和地區(qū)來看,日本政府集結(jié)上中下游產(chǎn)業(yè)合作發(fā)展GaN,5年內(nèi)計劃撥款90兆日圓資助研發(fā)氮化鎵在半導(dǎo)體方面應(yīng)用的大學(xué)和企業(yè)。雖然,碳化硅發(fā)展比氮化鎵更成熟,但日本是全球第一個研發(fā)氮化鎵的國家。

歐盟早在2019年即批準(zhǔn)投資化合物半導(dǎo)體計劃,由威爾士牽頭。該計劃將為研究活動提供17.5億歐元的資金,同時將帶來高達60億歐元的民間風(fēng)險投資。

中國政府制訂的“十四五規(guī)劃”中,在集成電路領(lǐng)域,特別提出了碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體要取得發(fā)展。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)