2025年1月9日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，新存科技(武漢)有限責(zé)任公司申請一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”的專利，公開號 CN 119255616 A，申請日期為 2024 年 9 月。

專利摘要顯示，本申請實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。制造方法包括：提供襯底，并在襯底上形成器件材料層;在器件材料層上，形成阻擋層;在阻擋層上形成圖案化的第一掩膜;基于第一掩膜進(jìn)行刻蝕，在阻擋層中形成沿第一方向延伸的多條第一溝槽;去除第一掩膜;在阻擋層上形成圖案化的第二掩膜;基于第二掩膜進(jìn)行刻蝕，在阻擋層中形成沿第一方向延伸的多條第二溝槽;去除第二掩膜;以阻擋層為掩膜進(jìn)行刻蝕，將器件材料層刻蝕形成沿第一方向延伸的多條存儲單元線。

天眼查資料顯示，新存科技(武漢)有限責(zé)任公司，成立于2022年，位于武漢市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本1656.3515萬人民幣，實(shí)繳資本1257.59萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，新存科技(武漢)有限責(zé)任公司共對外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目3次，專利信息58條。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)