近日,韓國政府發(fā)布了一份先進功率半導體研發(fā)和產(chǎn)能提升計劃。

目前韓國國內(nèi)市場規(guī)模約為20億美元,由于缺乏技術(shù)和專利,90%以上的市場需求依賴進口。

韓國政府計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平,以便到那一年韓國至少有5種先進的功率半導體產(chǎn)品上市。

政府計劃積極支持研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),以搶占仍處于早期階段的下一代功率半導體市場,并建立一個堅實的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。

如此一來,韓國加入美國、中國和日本等國家的行列,均宣布促進本土芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策,包括功率半導體的制造。

致力于SiC、GaN、Ga2O3三種材料的應(yīng)用技術(shù)和技術(shù),克服硅酮材料的局限性,協(xié)助國內(nèi)企業(yè)的材料和芯片研發(fā)工作。

韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部在一份聲明中表示,將與韓國國內(nèi)的代工廠建立6 - 8英寸的制造工藝,以擴大相關(guān)的代工服務(wù)。

韓國無線通信設(shè)備半導體企業(yè)RFHIC(艾爾福)被選定為課題牽頭企業(yè),SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹脂的制作,LIG nex1負責系統(tǒng)的驗證,韓國電子通信研究院(ETRI)的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。

而在早前4月1日,韓國政府曾召開會議,發(fā)表了“下一代功率半導體技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)能擴充方案”,宣布將正式培育下一代功率半導體技術(shù)。

2000年韓國制訂了GaN開發(fā)計劃,政府在2004～2008年投入4.72億美元,企業(yè)投入7.36億美元以支持韓國進行光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展,使韓國成為亞洲最大的光電子器件生產(chǎn)國。

2009年韓國發(fā)布《綠色成長國家戰(zhàn)略》,全力發(fā)展環(huán)保節(jié)能產(chǎn)業(yè),并致力于使得該產(chǎn)業(yè)成為韓國經(jīng)濟增長的主要動力之一。

2010—2012年間投入約4500萬美金以推動MOCVD機臺實現(xiàn)國產(chǎn)化、引進制程自動化系統(tǒng)并開發(fā)高速封裝、監(jiān)測設(shè)備。

韓國圍繞Si基GaN和SiC器件啟動功率電子國家項目,同時重點圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質(zhì)量SiC單晶生長、高質(zhì)量SiC外延材料生長4個方向,開展了國家研發(fā)項目。

韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部(MOTIE)舉辦研討會,為了強化系統(tǒng)半導體的競爭力,產(chǎn)、官、學三界聯(lián)手投資4645億韓元(4.15億美元),開發(fā)低能源、超輕量和超高速的半導體芯片。

這當中1326億韓元用于開發(fā)先進超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導體,47億韓元投資超高速存儲器和系統(tǒng)整合設(shè)計技術(shù)。

2021年,韓國政府對第三代半導體的發(fā)展越來越重視,僅是這三年便實施了多項舉措,特別是在汽車半導體、5G領(lǐng)域。

最近更是傳出三星有意收購一家汽車半導體大廠,目標可能包括恩智浦,德州儀器,微芯和亞德諾等公司。

集邦咨詢指出,因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升,預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領(lǐng)域營收可達6.8億美元,年增32%。

第三代半導體是未來各地搶占電動車、新能源,甚至國防、太空優(yōu)勢,不能忽視的關(guān)鍵技術(shù),誰在這個領(lǐng)域領(lǐng)先,誰就能在這個領(lǐng)域勝出,有機會成為下一個臺積電。

日前,阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。

國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃已明確第三代半導體是重要發(fā)展方向。

計劃在2021-2025年期間,舉全國之力,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)技術(shù)與生產(chǎn)獨立,自給自足,不再受制于外部限制。

(關(guān)鍵字：半導體)