2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)開幕大會在深圳會展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會、深圳市科技創(chuàng)新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。

硅基氮化鎵LED技術具有眾多優(yōu)勢，比如可大幅降低制造成本，提高散熱表現(xiàn)等，與LED的未來發(fā)展密切相關，該技術也是業(yè)界一直關注的方向。南昌大學副校長、國家硅基LED工程技術研究中心教授江風益帶來了“從硅基氮化鎵LED進展看半導體照明未來”的主題報告，分享了硅基氮化鎵LED的最新進展以及半導體照明更廣闊的可能性。

在我國國內，南昌大學副校長、國家硅基LED工程技術研究中心教授江風益在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統(tǒng)性、創(chuàng)造性成就，帶領團隊在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，獲國家技術發(fā)明獎一等獎和全球半導體照明年度新聞獎。

報告中，江風益分享了當前硅基氮化鎵LED基礎性工作、硅基氮化鎵LED突破性進展，以及半導體照明的發(fā)展。涉及網(wǎng)格襯底技術、位錯利用、薄膜轉移技術、黃光鴻溝、自主研制裝備、V形坑技術、三維V形pn結、發(fā)光光譜與內量子效率，無熒光粉、無藍光、低色溫LED氛圍燈，紫外與紅黃光LED等多個熱點話題。當前，實現(xiàn)了硅基氮化鎵LED從裝備到材料、芯片、應用完整技術鏈和產(chǎn)品鏈。發(fā)展了一系列新技術，包括自主研制專用MOCVD、新型準備層、三維V形pn結等，解決了高銦組分銦鎵氮材料生長難題。銦鎵氮長波段LED取得了突破性進展：獲得了高光效黃光LED，達到實用化水平，已應用于無熒光粉純LED照明;0.05 A/cm2電流密度下，615nm銦鎵氮紅光LED光效達到14.7%，有望應用于μLED顯示。展望半導體照明，LED技術仍是一片藍海，固態(tài)照明有更高的品質需求，不同技術之間融合可催生更多的應用方向，LED技術本身仍存在大量單元技術有待攻克。

(關鍵字：半導體)