據報道，紐約城市大學(CCNY)宣布學校的研究團隊在光電領域獲得突破。研究人員成功地展示了一種基于半光半物質準粒子的原子薄材料LED。

CCNY表示，這也是首次成功采用原子薄半導體嵌入陷光結構的方法測試電致發(fā)光器。

據悉，該研究發(fā)表于《自然·納米技術》雜志上(Nature Nanotechnology)。該設備采用目前知名的基于透明膠帶(scotch tape)的技術制造，可在室溫下工作，標志著LED研究領域的重要里程碑。

研究團隊導師Vinod Menon指出，這個LED設備是采用大量原子薄材料制造而成，在室溫下工作，這使其在朝向技術相關設備展示發(fā)展中邁出重要的第一步。

此外，CCNY研究團隊希望使用相似的結構進一步開發(fā)量子發(fā)射器(單光子發(fā)射器)。

據5月報道顯示，麻省理工學院的研究人員設計了一種新型的單光子發(fā)射器，可以在室溫下產生更多高質量的光子，這種光子可用于實際的量子計算機、量子通信和其他量子設備。

(關鍵字：LED)