2012年6月5日，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“公司”)第四屆董事會(huì)第十五次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”的議案》和《關(guān)于使用部分超募資金實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”的議案》，同意使用超募資金9,547萬(wàn)元在昆明新城高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地B-5-5 地塊云南國(guó)家鍺材料基地內(nèi)實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”。

詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)見(jiàn)公司于2012年6月7日在《證券時(shí)報(bào)》、《中國(guó)證券報(bào)》、《上海證券報(bào)》、《證券日?qǐng)?bào)》及巨潮資訊網(wǎng)上刊登的《云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司關(guān)于使用部分超募資金實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”的公告》。

2013年8月27日，公司第四屆董事會(huì)第二十九次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于使用部分超募資金設(shè)立控股子公司實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目” 暨變更項(xiàng)目實(shí)施主體的議案》，同意公司變更“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”實(shí)施主體，并同意公司使用超募資金6683萬(wàn)元設(shè)立控股子公司云南鑫圓新材料有限責(zé)任公司(暫定名，實(shí)際工商登記名稱為：云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司)負(fù)責(zé)實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”。

詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)見(jiàn)公司于2013年8月29日在《證券時(shí)報(bào)》、《中國(guó)證券報(bào)》、《上海證券報(bào)》、《證券日?qǐng)?bào)》及巨潮資訊網(wǎng)上刊登的《云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司關(guān)于使用部分超募資金設(shè)立控股子公司實(shí)施“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目” 暨變更項(xiàng)目實(shí)施主體的公告》。

2016年3月29日，公司第五屆董事會(huì)第十六次會(huì)議審議通過(guò)《關(guān)于調(diào)整“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”實(shí)施內(nèi)容并增加投資的議案》，同意調(diào)整“砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”實(shí)施內(nèi)容并增加投資1585.24萬(wàn)元。

一、原項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容如下：

1、建設(shè)內(nèi)容

本項(xiàng)目將建設(shè)一條年產(chǎn).2″砷化鎵(GaAs)拋光晶片80萬(wàn)片的單晶材料生產(chǎn)線及與其相適應(yīng)的生產(chǎn)廠房、辦公用房和其他配套設(shè)施。

項(xiàng)目總投資9,547萬(wàn)元，其中固定資產(chǎn)投資8,686萬(wàn)元，流動(dòng)資金861萬(wàn)元，新建建筑面積6,647㎡，購(gòu)置設(shè)備儀器228臺(tái)(套)。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)開盒即用.2″砷化鎵拋光晶片80萬(wàn)片/年(對(duì)應(yīng)的單晶材料6373公斤/年)的生產(chǎn)能力。

2、項(xiàng)目預(yù)算

本項(xiàng)目總投資9,547萬(wàn)元，其中固定資產(chǎn)投資8,686萬(wàn)元，流動(dòng)資金861萬(wàn)元。其中，固定資產(chǎn)投資估算為8,686萬(wàn)元，估算范圍包括工藝設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)、動(dòng)力設(shè)備購(gòu)置及安裝費(fèi)、建筑工程費(fèi)、工程建設(shè)其他費(fèi)用、預(yù)備費(fèi)等。

3、實(shí)施主體

本項(xiàng)目實(shí)施主體為公司控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鑫耀公司”)。鑫耀公司基本情況如下：

公司名稱：云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

住所：昆明市高新區(qū)電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)廠房A棟1樓

注冊(cè)號(hào)：530100100354474

注冊(cè)資本：玖仟伍佰肆拾柒萬(wàn)元正

實(shí)收資本：陸仟玖佰捌拾叁萬(wàn)元正

公司類型：非自然人出資有限責(zé)任公司

法定代表人姓名：李蘇濱

經(jīng)營(yíng)范圍：高效太陽(yáng)能電池用鍺單晶及晶片、紅外光學(xué)鍺鏡頭及元件、紅外成像設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)咨詢;自動(dòng)化設(shè)備的研究、開發(fā)、銷售及技術(shù)咨詢;計(jì)算機(jī)軟件的開發(fā)及技術(shù)咨詢;貨物及技術(shù)進(jìn)出口業(yè)務(wù)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。

成立日期：二0一三年九月十日

4、項(xiàng)目建設(shè)的資金來(lái)源

本項(xiàng)目總投資9,547萬(wàn)元，全部為鑫耀公司自有資金。

二、此次調(diào)整項(xiàng)目實(shí)施內(nèi)容的原因及主要內(nèi)容

為豐富產(chǎn)品種類、規(guī)格，增加了部分設(shè)備投資，原項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)一條年產(chǎn).2″砷化鎵(GaAs)拋光晶片80萬(wàn)片的單晶材料生產(chǎn)線，項(xiàng)目調(diào)整后，具備了Ф4.砷化鎵拋光晶片生產(chǎn)能力，同時(shí)新增機(jī)器設(shè)備使得產(chǎn)能增加，原項(xiàng)目產(chǎn)能為.2″砷化鎵(GaAs)拋光晶片80萬(wàn)片/年，現(xiàn)調(diào)整為：.2″砷化鎵(GaAs)拋光晶片120萬(wàn)片/年或.4″砷化鎵(GaAs)拋光晶片80萬(wàn)片/年;其次，為適應(yīng)今后不斷提高的環(huán)保要求，調(diào)整增加了“廢水處理回用系統(tǒng)”，實(shí)現(xiàn)“含重金屬?gòu)U水”零排放;再次，為保障項(xiàng)目生產(chǎn)的穩(wěn)定運(yùn)行，公司在環(huán)保設(shè)施試運(yùn)行期間，采取了積極穩(wěn)妥的安全措施，在保證廢水不外排的前提下，導(dǎo)致試車運(yùn)行費(fèi)用增加。

此次調(diào)整新增單面拋光機(jī)1臺(tái)、雙面拋光機(jī)1臺(tái)、"砷化鎵單晶爐6臺(tái)，其它設(shè)備差價(jià)共計(jì)新增769.05萬(wàn)元; “廢水處理回用系統(tǒng)” 增加投資315萬(wàn)元;試車運(yùn)行費(fèi)用增加501.19萬(wàn)元。綜上所述，此次項(xiàng)目實(shí)施內(nèi)容調(diào)整，共計(jì)增加投資1585.24萬(wàn)元。

三、此次追加投資后項(xiàng)目建設(shè)的主要內(nèi)容

1、建設(shè)內(nèi)容

本項(xiàng)目將建設(shè)一條年產(chǎn).2″砷化鎵(GaAs)拋光晶片120萬(wàn)片(.4″砷化鎵(GaAs)拋光晶片80萬(wàn)片)的單晶材料生產(chǎn)線及與其相適應(yīng)的生產(chǎn)廠房、辦公用房和其他配套設(shè)施。

2、項(xiàng)目投資

本項(xiàng)目調(diào)整后總投資11,132.24萬(wàn)元，包括建筑工程、設(shè)備購(gòu)置、安裝工程、其他費(fèi)用等。

四、資金來(lái)源

此次用于追加項(xiàng)目投資的資金1585.24萬(wàn)元將全部來(lái)源于控股子公司鑫耀公司的自有資金。

五、項(xiàng)目實(shí)施內(nèi)容調(diào)整的影響

此次項(xiàng)目實(shí)施內(nèi)容調(diào)整主要是實(shí)施過(guò)程中增加產(chǎn)品種類、規(guī)格，導(dǎo)致設(shè)備增加，其次是增加了環(huán)保方面的投入，再次試運(yùn)行期間費(fèi)用增加。此次調(diào)整，有利于豐富項(xiàng)目產(chǎn)品種類、規(guī)格，增強(qiáng)運(yùn)營(yíng)后的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)對(duì)環(huán)保系統(tǒng)進(jìn)行改造，有利于提高項(xiàng)目環(huán)保水平。

砷化鎵是微電子和光電子的基礎(chǔ)材料，在超高速、超高頻、低功耗、低噪聲器件和電路，特別在光電子器件和光電集成方面占有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì);同時(shí)半導(dǎo)體砷化鎵材料廣泛用于研制可見(jiàn)光激光器、半導(dǎo)體大功率激光器、發(fā)光二極管和太陽(yáng)電池等領(lǐng)域。項(xiàng)目的建設(shè)將對(duì)公司產(chǎn)業(yè)鏈延伸起到積極作用，公司建設(shè)自己的砷化鎵晶體生產(chǎn)線有利于今后產(chǎn)業(yè)鏈的延伸和完善。

特此公告。

云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司董事會(huì)

2016年03月31日

(關(guān)鍵字：云南鍺業(yè) 砷化鎵)