德國MOCVD設(shè)備廠愛思強(qiáng)股份有限公司（Aixtron）于3月5日宣布，其最新的硅基氮化鎵生長設(shè)備ATX G5+反應(yīng)器榮獲2013年化合物半導(dǎo)體制造獎。

愛思強(qiáng)股份有限公司首席技術(shù)官安德烈亞斯（Andreas Toennis）表示，愛思強(qiáng)一直保持在硅基氮化鎵技術(shù)的領(lǐng)先地位，公司對本次獎項(xiàng)的獲得也十分高興，這是化合物半導(dǎo)體行業(yè)對愛思強(qiáng)所取得成就的充分認(rèn)可。

化合物半導(dǎo)體制造獎旨在表彰在有關(guān)芯片制造工藝領(lǐng)域從研究到成品器件等關(guān)鍵環(huán)節(jié)中取得的卓越創(chuàng)新成就，推動行業(yè)向前發(fā)展的人士、工藝和產(chǎn)品。AIX G5+反應(yīng)器旨在實(shí)現(xiàn)在硅基材上生長氮化鎵，并提供可媲美藍(lán)寶石基材生長工藝的性能和產(chǎn)量。

“硅基氮化鎵技術(shù)勢將成為未來電力電子應(yīng)用的技術(shù)選擇，且在低成本高亮度LED制造方面擁有廣闊的應(yīng)用前景，”愛思強(qiáng)歐洲副總裁Frank Schulte博士補(bǔ)充說。

據(jù)了解，AIX G5+每生產(chǎn)批次可處理五個(gè)直徑為200mm的晶圓，通過大面積的基材，有效提高氮化鎵設(shè)備的產(chǎn)量和良率。

(關(guān)鍵字：氮化鎵 半導(dǎo)體 愛思強(qiáng) 半導(dǎo)體制造獎)