日前，由山東省人民政府、中國商業(yè)聯(lián)合會聯(lián)合主辦的以“金色陽光，綠色能源”為主題的第12屆中國（濟(jì)南）太陽能利用大會暨展覽會在山東濟(jì)南國際會展中心舉辦。期間，太陽能光熱、光伏等4大板塊展出的國內(nèi)外最新太陽能科技產(chǎn)品及創(chuàng)新技術(shù)引起了參會者的高度關(guān)注，其中包括阿特斯陽光電力集團(tuán)（簡稱“阿特斯”）在同期舉行的太陽能利用大會暨分布式發(fā)電峰會上介紹的高效多晶硅光伏技術(shù)。

“在光伏平價(jià)上網(wǎng)方面，高效多晶硅組件會起到?jīng)Q定性的作用。”阿特斯董事長瞿曉鏵表示，目前阿特斯高效多晶硅三代組件發(fā)貨量已接近1吉瓦，但產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足需求。今年年底，阿特斯高效多晶硅三代產(chǎn)品年生產(chǎn)能力將達(dá)到4吉瓦以上，明年會繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。

與最高水平的單晶硅功率接近

與國際市場不同，自前年以來，我國單晶硅市場份額不斷增加──2015年的市場占比為15%，2016年增至27%，且呈持續(xù)增長的趨勢。但從世界范圍看，多晶硅一直保持90%以上的市場份額，近兩年來這一份額還在繼續(xù)增長。為何會出現(xiàn)以上反差，很重要的原因是，隨著PERC工藝在我國單晶硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，單晶硅在效率方面拉大了與多晶硅的距離，且在全組件成本方面逐步縮小了與多晶硅的差距。如此，多晶硅該如何與單晶硅競爭成為生產(chǎn)企業(yè)的必答卷。

“研發(fā)更高效率、更低成本的多晶硅產(chǎn)品迫在眉睫。”瞿曉鏵表示，近年來，阿特斯一直致力于高效多晶硅技術(shù)研發(fā)，與常規(guī)產(chǎn)品相比，阿特斯研發(fā)的第三代高效多晶硅技術(shù)具有效率高、成本低，光衰低等優(yōu)勢，隨著逆變器等其他BOS部件質(zhì)量提升和成本下降，將最終促進(jìn)實(shí)現(xiàn)光伏發(fā)電平價(jià)上網(wǎng)。

“2016年，我們推出了第三代高效多晶硅技術(shù)，今年下半年還將推出第四代技術(shù)，該技術(shù)將具備與單晶硅競爭的實(shí)力。”瞿曉鏵說，目前全力推廣的第三代高效多晶硅組件產(chǎn)品60片電池單板功率可以達(dá)到280、285瓦，與當(dāng)前最高水平的單晶硅功率相當(dāng)。另外，多晶硅三代硅材料利用率也有提升，以往每公斤硅錠可生產(chǎn)約49片硅片，該產(chǎn)品則實(shí)現(xiàn)了近60片的產(chǎn)出。與相應(yīng)的單晶硅組件相比，第三代高效多晶硅組件成本降低了10%。

“高效多晶硅技術(shù)是降低成本、提高效率的一把金鑰匙。”瞿曉鏵表示，高效多晶硅研發(fā)的目標(biāo)是促進(jìn)實(shí)現(xiàn)平價(jià)上網(wǎng)，讓光伏能源在不需要國家補(bǔ)貼的情況下，可以與常規(guī)電力同臺競爭。

改進(jìn)切片、制絨技術(shù)是關(guān)鍵

怎么才能不斷提升多晶硅效率，降低其成本。這需要從關(guān)鍵技術(shù)入手。多晶硅組件產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)包括鑄錠、切片、電池和組件等。“傳統(tǒng)多晶硅在切片和制絨方面還有潛力可挖掘。”瞿曉鏵認(rèn)為，與普通單晶硅切片方式一樣，傳統(tǒng)多晶硅一般是用砂線切片，材料損耗較大，產(chǎn)品表面損傷也較嚴(yán)重。硅片表面的制絨主要是為了增加入射光的吸收，降低反射率。若運(yùn)用普通的酸腐蝕方式制絨，多晶硅的平均光反射率是在25%左右，這與單晶約10%的光反射率相比差距較大。

“第三代多晶硅技術(shù)重點(diǎn)解決了這兩個(gè)問題。”他說，一是切片時(shí)不再使用傳統(tǒng)的鋼線、砂漿、化學(xué)添加劑及其他原料，而直接使用金剛石線和清水；二是在制絨方面，使用納米顆粒進(jìn)行催化，使硅片表面反射率比起常規(guī)制絨降低50%以上，并且更容易鈍化。第三代多晶硅技術(shù)功率比較常規(guī)多晶硅提高0.4%~0.5%，量產(chǎn)效率已經(jīng)超過19%，甚至接近19.5%，再加上電池到組件（CTM）功率轉(zhuǎn)化的提高，其功率已經(jīng)達(dá)到常規(guī)單晶硅的水平。

“改進(jìn)后的制絨方式由于反射率低、表面鈍化好以及CTM高，使多晶硅三代組件的單瓦發(fā)電量可以比傳統(tǒng)單晶硅、多晶硅高1%左右。”瞿曉鏵表示，阿特斯還將推出的第四代高效多晶硅技術(shù)，目標(biāo)是在72片組件功率上再增加30瓦，與目前最高端的單晶組件功率齊平，單瓦發(fā)電量增加2%，可靠性提高50%以上。

(關(guān)鍵字：多晶硅 單晶硅 硅片)